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1俄歇電子

二次電子
Secondary electron
二次電子是指被入射電子轟擊出來的核外電子。由於原子核和外層價電子間的結合能很小,當原子的核外電子從入射電子獲得了大於相應的結合能的能量后,可脫離原子成為自由電子。如果這種散射過程發生在比較接近樣品表層處,那些能量大於材料逸出功的自由電子可從樣品表面逸出,變成真空中的自由電子,即二次電子。 二次電子來自表面5-10nm的區域,能量為0-50eV。 它對試樣表面狀態非常敏感,能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。由於它發自試樣表層,入射電子還沒有被多次反射,因此產生二次電子的面積與入射電子的照射面積沒有多大區別,所以二次電子的解析度較高,一般可達到5-10nm。掃描電鏡的解析度一般就是二次電子解析度。 二次電子產額隨原子序數的變化不大,它主要取決與表面形貌。入射電子與樣品核外電子碰撞,使樣品表面的核外電子被激發出來的電子,是作為SEM的成像信號,代表樣品表面的結構特點。

2俄歇電子

如果原子內層電子能級躍遷過程中釋放出來的能量不是以X射線的形式釋放而是用該能量將核外另一電子打出,脫離原子變為二次電子,這種二次電子叫做俄歇電子。因每一種原子都由自己特定的殼層能量,所以它們的俄歇電子能量也各有特徵值,能量在50-1500eV範圍內。 俄歇電子是由試樣表面極有限的幾個原子層中發出的,這說明俄歇電子信號適用與表層化學成分分析。
A secondary electron arises as a result of the interaction of a primary electron with a specimen. In principle the term refers to all electrons emitted from a specimen after it has been bombarded with primary electrons, X-rays or other radiation. In practice the phrase most commonly refers to low-energy electrons (kinetic energy less than 50eV) emitted from the specim en in a scanning electron microscope (SEM).
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