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光磁電效應是指在垂直於光束照方向施加外磁場時半導體兩側面間產生電位差的現象。利用光磁電效應可製成半導體紅外探測器。

 

1 光磁電效應 -定義

光磁電效應是指在垂直於光束照方向施加外磁場時半導體兩側面間產生電位差的現象。

 

2 光磁電效應 -機制

光照射到半導體表面後生成非平衡載流子的濃度梯度,使載流子產生定向擴散速度,磁場作用在載流子上的洛侖茲力使正負載流子分離,形成端面電荷累積的電位差和橫向電場。當作用在載流子上的洛侖茲力與橫向電場的電場力平衡時,兩端面的電位差保持不變。雖然,光磁電效應與霍爾效應相似,但是它們是不同的效應。霍爾效應中載流子的定向運動是由外電場引起的,而光磁電效應是由外磁場引起的,且兩類效應的載流子運動方向相反,但形成的電流方向卻相同。利用光磁電效應可製成半導體紅外探測器。

 

3 光磁電效應 -種類

這類半導體材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。

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