1簡介

光衰一般指它的光通量,在對感光鼓表面充電時,隨著電荷在感光鼓表面的積累,電位也不斷升高,最後達到 "飽和"電位,就是最高電位。表面電位會隨著時間的推移而下降,一般工作時的電位都低於這個電位,這個電位隨時間自然降低的過程,稱之為"暗衰"過程。感光鼓經掃描曝光時 ,暗區(指未受光照射部分的光導體表面)電位仍處在暗衰過程;亮區(指受光照射部分的光導體表面)光導層內載流子密度迅速增加,電導率急速上升,形成光導電壓,電荷迅速消失,光導體表面電位也迅速下降。稱之為"光衰",最後趨緩。

2光致衰退效應

光致衰退效應起因
對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論,成為迄今國內外非晶硅材料研究的熱門課題。總的看法認為,S-W效應起因於光照導致在帶隙中產生了新的懸挂鍵缺陷態(深能級),這種缺陷態會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分佈情況發生變化,進而一方面引起光學性能的變化,另一方面對電子的複合過程產生影響。這些缺陷態成為電子和空穴的額外複合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。
在a-Si∶H薄膜材料中,能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。由於a-Si∶H材料結構上的無序,使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發生變化而使Si-Si鍵處於應變狀態。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當,可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構,則a-Si∶H薄膜的懸挂鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產生的機理並控制a-Si∶H薄膜中的懸挂鍵,以期尋找穩定化處理方法和工藝,20多年來,國內外科學工作者進行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、「H玻璃」模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、「defect pool」模型等,但至今仍沒有形成統一的觀點。

3LED光衰

LED光衰是指LED經過一段時間的點亮后,其光強會比原來的光強要低,而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封裝廠家做測試是在實驗室的條件下(25℃的常溫下),以20MA的直流電連續點亮LED1000小時來對比其點亮前後的光強.
LED光衰影響因素
針對LED的光衰主要有以下二大因素:
  1. LED產品本身品質問題
  • 採用的LED晶元體質不好,亮度衰減較快。
  • 生產工藝存在缺陷,LED晶元散熱不能良好的從PIN腳導出,導致LED晶元溫度過高使晶元衰減加劇。
2. 使用條件問題
  • LED為恆流驅動,有部分LED採用電壓驅動原因使LED衰減過來。
  • 驅動電流大於額定驅動條件。
其實導致LED產品光衰的原因很多,最關鍵的還是熱的問題,儘管很多廠商在次級產品不特別注重散熱的問題,但這些次級LED產品長期使用下,光衰程度會比有注重散熱的LED產品要高。LED晶元本身的熱阻、銀膠的影響、基板的散熱效果,以及膠體和金線方面也都與光衰有關係。

普通白熾燈光衰影響因素

泡殼越大、光衰越小,即與鎢的蒸發量沉積擋住光輸出成正比。而充氣燈泡由於部分地阻止鎢絲蒸發所以光衰要小。
如果是白熾燈用相同燈絲,做在不同大小泡殼裡,相對來說同一時間點的光衰的確大泡殼的比小泡殼的小。另外,同樣是充氣泡大玻殼的燈泡內部空間大,氣體對流到玻殼有比較大散熱面積,相對小玻殼燈的溫度低很多,則燈絲的溫度也相對低,發光效率低,鎢絲的蒸發率也低,所以光衰要小。但同樣的燈絲在大玻殼的光效比小玻殼的燈絲低很多。所以在燈絲設計的時候是分開設計的,在現實生產中的可比意義不大。
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