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化學氣相澱積

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CVD (Chemical Vapor Deposition)
指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。
化學氣相澱積特點:澱積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與澱積時間成正比,均勻性,重複性好,台階覆蓋性優良。
化學氣相澱積是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑引入反應室,在晶圓表面發生化學反應,從而生成所需的固態薄膜並澱積在其表面。
目前,在晶元製造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導體、半導體,或是介電材料,都可以用化學氣相澱積來製備,如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有澱積溫度低,薄膜成分和厚度易控,薄膜厚度與澱積時間成正比,均勻性與重複性好,台階覆蓋好,操作方便等優點。其中澱積溫度低和台階覆蓋好對超大規模集成電路的製造十分有利。因此是目前集成電路生產過程中最重要的薄膜澱積方法。目前常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及等離子體增強化學氣相澱積等。
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