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  Single event effect,又稱單事件效應。高能帶電粒子在器件的靈敏區內產生大量帶電粒子的現象。它屬於電離效應。當能量足夠大的粒子射入集成電路時,由於電離效應(包括次級粒子的),產生數量極多的電離空穴一電子對,引起半導體器件的軟錯誤,使邏輯器件和存儲器產生單粒子翻轉,CMOS器件產生單粒子閉鎖,甚至出現單粒子永久損傷的現象。集成度的提高、特徵尺寸降低、臨界電荷和有效LED閾值下降等會使執單粒子擾動能力降低。器件的抗單粒子翻轉能力明顯與版圖設計、工藝條件等因素有關。

  
單粒子效應

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