標籤: 暫無標籤

  多子,即多數載流子,是半導體物理的概念。 它相對於少子而言。

  半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子佔大多數,導電中起到主要作用,則稱它為多子。如,在 N 型半導體中,電子是多數載流子, 空穴是少數載流子。在P型半導體中,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。

  多子和少子的形成:五價元素的原子有五個價電子,當它頂替晶格中的四價硅原子時,每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個硅原子以共價鍵形式相結合,而餘下的一個就不受共價鍵束縛,它在室溫時所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子,如圖所示。出於該電子不是共價鍵中的價電子,因而不會同時產生空穴。而對於每個五價元素原子,儘管它釋放出一個自由電子后變成帶一個電子電荷量的正離子,但它束縛在晶格中,不能象載流子那樣起導電作用。這樣,與本徵激發濃度相比,N型半導體中自由電子濃度大大增加了,而空穴因與自由電子相遇而複合的機會增大,其濃度反而更小了。

  多子濃度主要由摻雜濃度決定,受溫度影響較小。

上一篇[本徵半導體]    下一篇 [張慶中]

相關評論

同義詞:暫無同義詞