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1概述

快閃記憶體(flash EPROM)是電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式。快閃記憶體允許在操作中多次擦或寫,並具有非易失性,即單指保存數據而言,它並不需要耗電。快閃記憶體和傳統的EEPROM不同在於它是以較大區塊進行數據抹擦,而傳統的EEPROM只能進行擦除和重寫單個存儲位置。這就使得快閃在寫入大量數據時具有顯著地優勢。
快閃記憶體具有較快的讀取速度,其讀取時間小於100ns,這個速度可以和主存儲器相比。但是由於它的寫入操作比較複雜,花費時間較長。而與硬碟相比,快閃記憶體的動態抗震能力更強,因此它非常適合用於移動設備上,例如筆記本電腦、相機和手機等。快閃記憶體的一個典型應用USB盤已經成為計算機系統之間傳輸數據的流行手段。

2限制

限制之一:區塊擦除
作為新型的EEPROM,快閃記憶體擦除已保存的數據不是以單個存儲位置為單位,而必須是以一個區塊為單位進行。也就是說,快閃記憶體支持隨機讀取和寫入,但是不允許隨機改寫。一般來說都是設置某一區中的所有位為「1」,剛開始區塊內的所有部份都可以寫入,然而當有任何一個位被設為「0」時,就只能藉由清除整個區塊來回復「1」的狀態。
限制之二:有限次的擦除
快閃記憶體的擦除次數有有限,從10 000次到1百萬次不等。儘管可以通過耗損平衡以及壞區管理等技術延長其使用壽命,但是這個限制也決定了快閃記憶體不適用於大量數據讀寫循環的高可靠性數據存儲應用。
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