標籤: 暫無標籤

梁駿吾(1933.9.18-- ) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業於武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。

  

1 梁駿吾 -概述

60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區

2 梁駿吾 -熔單

晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶,解決了矽片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料,在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面, 將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持「七五」、「八五」重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次。
  1997年當選為中國工程院院士。
上一篇[舒血管腸肽瘤]    下一篇 [黃培康]

相關評論

同義詞:暫無同義詞