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oxidation film;oxide film
金屬鈍化理論認為,鈍化是由於表面生成覆蓋性良好的緻密的鈍化膜。大多數鈍化膜是由金屬氧化物組成,故稱氧化膜。如鐵鈍化膜為γ-Fe2O3,Fe3O4,鋁鈍化膜為無孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般為10-9~10-10m。一些還原性陰離子,如Cl-對氧化膜破壞作用較大。為了得到厚的緻密的氧化膜,常採用化學或電化學處理。
在半導體器件的製造上,氧化膜具有極為重要的作用。其被利用為MOS晶體管的棚級氧化膜、PN接合部的保護膜、雜質擴散的光罩。製造氧化膜的代表例有:熱氧化法及氣相成長法(CVD法)。
熱氧化法(thermal oxide method)
將硅晶圓的表面用高溫氧氣或水蒸氣加以氧化生成。由於可形成細密的氧化膜,因此被用於MOS晶體管的棚級氧化層、鈍化層(passivation film,or passivation layer)。用氧化形成的膜厚度可由溫度、時間、或者水蒸氣的流量加以控制。
氣相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)
這是在高溫的反應爐內由硅烷氣體(SiH4)、氧氣等,利用化學反應將氧化硅沉積在晶圓表面的方法,這包括常壓CVD法(1大氣壓)與低壓CVD法等。主要用途在於形成配線層間的絕緣膜,保護晶元表面的鈍化作用膜等。這種氣體也可用在復晶硅棚級電極等的行程中。
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