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1 江崎二極體 -簡介

江崎二極體 (Tunnel Diode)
  它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極體。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡併態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位於導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡併半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極體為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標「P」代表「峰」;而下標「V」代表「谷」。江崎二極體可以被應用於低雜訊高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用於高速開關電路中。  

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