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深能級所屬現代詞,指的是靠近導帶的空穴束縛態,或能量很接近價帶頂的電子束縛態。

  深能級是指靠近導帶的空穴束縛態,或能量很接近價帶頂的電子束縛態。 半導體中的深能級所包括的範圍十分廣闊,可以是單個的雜質原子或缺陷,也可以是雜質和缺陷的絡合體。它們往往可以連續接受幾個電子,在禁帶中形成多重能級,各對應於不同的電荷態。

  半導體的深能級雜質可以提供電子和空穴複合的渠道,起「複合中心」的作用,其具體過程是,導帶電子落入深能級,然後再落入價帶的空能級;其總效果是消滅一對電子和空穴,即電子-空穴複合。這個過程也可以看做是深能級先後俘獲一個電子和一個空穴。複合的逆過程就是電子-空穴對的產生,它可以看做是深能級先後發射一個電子和一個空穴。

  雜質能級的位置位於禁帶中心附近,電離能較大,在室溫下,處於這些雜質能級上的雜質一般不電離,對半導體材料的載流子沒有貢獻,但是它們可以作為電子或空穴的複合中心,影響非平衡少數載流子的壽命,這類雜質稱為深能級雜質。

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