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混頻用二極體

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1 混頻用二極體 -簡介

  使用二極體混頻方式時,在500~10,000Hz的頻率範圍內,多採用肖特基型和點接觸型二極體。

2 混頻用二極體 -原理

  混頻二極體是一種肖特基勢壘二極體,它是利用金屬和N型半導體相接觸所形成的金屬?半導體結的原理而製成的。當金屬與半導體相接觸時,它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘,即表面勢壘。為了使半導體中的載流子容易地越過勢壘進入金屬,它必須採用電子逸出功(電子跑出半導體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半導體。當二極體加上正向偏壓時,勢壘下降,多數載流子(電子)便從半導體進入金屬。混頻二極體與一般二極體相比,由於利用多數載流子工作,沒有少數載流子儲存效應,所以具有頻率高、雜訊低和反向電流小等特點,主要用於混頻器。

3 混頻用二極體 -材料

  肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極體(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極體或表面勢壘二極體,它是一種熱載流子二極體。
  點接觸型二極體是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用於高頻電路。但是,與面結型相比較,點接觸型二極體正向特性和反向特性都差,因此,不能使用於大電流和整流。因為構造簡單,所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言,它是應用範圍較廣的類型。

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