溝道穿通效應(Channel punchthrough effect )就是場效應晶體管的源結與漏結的耗盡區相連通的一種現象。這種效應是在小尺寸場效應晶體管中有可能發生的一種效應,因此也往往就是限制MOSFET尺寸縮小的一種重要的因素。這是VLSI中很值得重視的一個問題。
溝道穿通效應的影響:當溝道一穿通,就使源-漏間的勢壘顯著降低,則從源往溝道即注入大量載流子,並漂移通過源-漏間的空間電荷區、形成一股很大的電流;此電流的大小將受到空間電荷的限制,是所謂空間電荷限制電流(與源漏電壓的平方成正比,與溝道長度的立方成反比)。這種空間電荷限制電流是與柵壓控制的溝道電流相併聯的,因此溝道穿通將使得通過器件的總電流大大增加;並且在溝道穿通情況下, 即使柵電壓低於閾值電壓,源-漏間也會有電流通過。
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