溝道阻止層(Channel stopper)是MOS工藝中的一個術語。
在p型硅襯底上通過熱氧化等平面工藝來製作器件和電路時,往往由於SiO2薄膜中存在有正電荷(Na離子沾污等所致),使得p型硅襯底表面上出現n型寄生溝道而造成短路;為了防止這種n型寄生溝道的產生,就在p型硅襯底的器件有源區以外的表面上注入硼離子(劑量約為1013/cm2),形成一層較高摻雜濃度的p型層,這樣p型層就稱為溝道阻止層。
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