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漂移電流(driftcurrent) 在沒有電場作用時,半導體中載流子在運動中不時遭到散射作雜亂無章的熱運動,並不形成電流。當有電場存在時,使所有載流子沿電場力方向作定向運動。這種載流子在熱運動的同時,由於電場作用而產生的沿電場力方向的定向運動稱作漂移運動。所構成的電流為漂移電流。定向運動的平均速度叫做漂移速度。在弱電場下,載流子的漂移速度v與電場強度E成正比
  v=μE
  式中μ是載流子遷移率,簡稱遷移率。它表示單位場強下載流子的平均漂移速度,單位是m2/V·s或cm2/V·s。遷移率數值決定於半導體能帶結構、材料中雜質和缺陷對載流子的作用、以及其中原子的熱運動等因素。通常在同一種半導體中,電子的遷移率比空穴的大。遷移率是反映半導體載流子導電能力的重要參數。

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