無定形硅(a-Si)又稱非晶硅,是硅的一種同素異形體。晶體硅通常呈正四面體排列,每一個硅原子位於正四面體的頂點,並與另外四個硅原子以共價鍵緊密結合。這種結構可以延展得非常龐大,從而形成穩定的晶格結構。而無定性硅不存在這種延展開的晶格結構,原子間的晶格網路呈無序排列。換言之,並非所有的原子都與其它原子嚴格地按照正四面體排列。由於這種不穩定性,無定形硅中的部分原子含有懸空鍵(dangling bond)。這些懸空鍵對硅作為導體的性質有很大的負面影響。然而,這些懸空鍵可以被氫所填充,經氫化之後,無定形硅的懸空鍵密度會顯著減小,並足以達到半導體材料的標準。但很不如願的一點是,在光的照射下,氫化無定形硅的導電性能將會顯著衰退,這種特性被稱為SWE效應(Staebler-Wronski Effect).
美國科學家Stanford R. Ovshinsky擁有許多關於無定形硅的專利,包括半導體、太陽能電池等。它們的成本較相應的晶體硅製成品要低很多。
此外,無定形硅可用作自計溫度計照相機(Thermal Camera)中的微輻射探測儀(microbolometer)。
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