中文名稱:砷化銦
英文名稱:indium arsenide
英文別名:Indium arsenide; Indiam arsenide; Indium arsenide (InAs); Indium monoarsenide; arsanylidyneindium; arsenic(-3) anion; indium(+3) cation
砷化銦

  砷化銦

CAS號:1303-11-3
EINECS號:215-115-3
分子式:AsIn
分子量:189.7396 
砷化銦是由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。常溫呈銀灰色固體,具有閃鋅礦型的晶體結構,晶格常數為O.6058nm,密度為5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)。能帶結構為直接躍遷,禁帶寬度(300K)O.45eV。InAs相圖如圖所示。
InAs在熔點(942℃)時砷的離解壓只有O.033MPa,可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法,單晶直徑達φ50mm。
InAs是一種難於純化的半導體材料。非摻In.As單晶的剩餘載流子濃度高於l×10/cm,室溫電子遷移率3.3×10cm/(V·s),空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In.As中的有效分凝係數接近1,故用作n型摻雜劑,以提高縱向載流子濃度分佈的均勻性。工業用的InAs(s)單晶,n≥1×10/cm3,μ≤2.O×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。
InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應和小的電阻溫度係數,是製造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可製造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。
上一篇[負折射]    下一篇 [辦公室負能量]

相關評論

同義詞:暫無同義詞