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量子產額在半導體物理中,指的是光電器件每吸收一個光子所具有的發射電子的能力。以標準的多鹼光電陰極為例,在400nm處,峰值最大量子產額為40%。

  當分子吸收光時,其第i個光化學或光物理過程的初級量子產額φi等於i過程所產生的激發態分子數(單位時間單位體積內)與吸收的光子數之比(單位時間單位體積內)。

  在半導體物理中,指的是光電器件每吸收一個光子所具有的發射電子的能力。以標準的多鹼光電陰極為例,在400nm處,峰值最大量子產額為40%。
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