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門限電壓 a MOSFET 通常被定義作為門電壓,逆溫層形成在絕緣層(氧化物)和基體(身體)之間的介面 晶體管. 這層的創作其次被描述。 實際上門限電壓是有足夠的電子在做MOSFET來源之間的一個低抵抗舉辦的道路和排泄的逆溫層的電壓。一般認為理想二極體的門限電壓為0.

  門限電壓 a MOSFET 通常被定義作為門電壓,逆溫層形成在絕緣層(氧化物)和基體(身體)之間的介面 晶體管. 這層的創作其次被描述。

  在nMOSFET晶體管的基體由p類型硅組成,正面地充電流動孔作為載體。 當正面電壓是應用的在門, 電場造成孔從介面被排斥,創造a 勢壘區包含固定消極地被充電的接受器離子。 在門電壓的進一步增加最終造成電子出現於介面,在什麼稱逆溫層,或者渠道。 電子密度在介面同一樣孔密度在中立粒狀材料稱門限電壓歷史的門電壓。 實際上門限電壓是有足夠的電子在做MOSFET來源之間的一個低抵抗舉辦的道路和排泄的逆溫層的電壓。

  如果門電壓在門限電壓之下,晶體管被關閉,並且理想地沒有潮流從流失到晶體管的來源。 實際上,有潮流甚而為門偏心在門限之下(次於最低限度的漏出)潮流,雖然它是小的並且隨門偏心變化指數地。

  如果門電壓在門限電壓之上,晶體管在渠道起動,由於那裡是許多電子在氧化物硅介面,創造低抵抗渠道,潮流可能從流失流動到來源。 重大電壓在門限之上,這個情況被要求強的反向。 渠道逐漸變細,當 vD > 0因為電壓下落由於當前流動在抗拒渠道減少支持渠道的氧化物領域,當流失接近。

  一般認為理想二極體的門限電壓為0.
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