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開關二極體的開關時間主要由通態到關態的過渡時間決定,這個時間又稱反向恢復時間。從開始加反向偏壓時起到反向電流下降至起始值的1/10所需的時間稱為反向恢復時間。當P+N開關二極體處於通態時,空穴從P+區注入到N區,形成正向通導電流,即通態時N區中總有一定的少數載流子儲存。加上反偏壓后,只有全部排除N區中儲存的少數載流子,二極體才能處於關態。

1 開關二極體 -開關二極體

 

2 開關二極體 -正文

  半導體二極體在正向偏壓下電阻很小,反向偏壓下電阻很大,在開關電路中利用半導體二極體的這種單嚮導電特性就可以對電流起接通和關斷的作用。用於這一目的的半導體二極體稱為開關二極體。常用的開關二極體有PN結二極體、PIN二極體和肖特基勢壘二極體,主要用於電子計算機、各種自動控制系統和微波電路中。開關二極體的開關時間主要由通態到關態的過渡時間決定,這個時間又稱反向恢復時間。從開始加反向偏壓時起到反向電流下降至起始值的1/10所需的時間稱為反向恢復時間。當P+N開關二極體處於通態時,空穴從P+區注入到N區,形成正向通導電流,即通態時N區中總有一定的少數載流子儲存。加上反偏壓后,只有全部排除N區中儲存的少數載流子,二極體才能處於關態。P+N開關二極體的反向恢復時間主要由排除 N區中儲存少數載流子所需的時間決定。在硅P+N結型二極體中摻入金作為複合中心,可以縮短非平衡少數載流子的壽命,從而減小反向恢復時間,提高開關速度。直接帶隙半導體材料(如GaAs)的少數載流子壽命比硅短得多,利用砷化鎵材料可以製成超高速開關二極體。在金屬薄膜與半導體面接觸的肖特基勢壘二極體中,少數載流子的儲存效應小到可以忽略,它可用作超高速開關二極體。

 

3 開關二極體 -配圖

 

4 開關二極體 -相關連接

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