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間接帶隙半導體

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間接帶隙半導體材料(如Si、Ge)導帶最小值(導帶底)和滿帶最大值在k空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量。

  間接帶隙半導體材料(如Si、Ge)導帶最小值(導帶底)和滿帶最大值在K空間中不同位置。形成半滿能帶不只需要吸收能量,還要改變動量。

  間接帶隙半導體材料導帶最小值(導帶底)和滿帶最大值在k空間中不同位置。電子在k狀態時的動量是(h/2pi)k,k不同,動量就不同,從一個狀態到另一個必須改變動量。

  與之相對的直接帶隙半導體則是電子在躍遷至導帶時不需要改變動量。

  硅和鍺的價帶頂Ev都位於布里淵區中心,而導帶底Ec則分別位於<100>方向的簡約布里淵區邊界上和布里淵區中心到布里淵區邊界的0.85倍處,即導帶底與價帶頂對應的波矢不同。這種半導體稱為間接禁帶半導體。
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