標籤: 暫無標籤

齊納擊穿(Zener breakdown)是指在高摻雜的情況下,因耗盡層寬度很小,不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強的電場,而直接破壞共價鍵,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子—空穴對,致使電流急劇增大。

1 齊納擊穿 -齊納擊穿

在高摻雜的情況下,因耗盡層寬度很小,不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強的電場,而直接破壞共價鍵,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子—空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。也稱為隧道擊穿。齊納擊穿是暫時性的,可以恢復。   

齊納擊穿一般發生在低反壓、高摻雜的情況下。

2 齊納擊穿 -隧道擊穿

是半導體物理的概念。 隧道擊穿(齊納擊穿):隧道擊穿是在強電場作用下,由隧道效應,使大量電子從價帶穿過禁帶而進入到導帶所引起的一種擊穿現象。因為最初是由齊納提出來解釋電介質擊穿現象的,故叫齊納擊穿。 當p-n結加反向偏壓時,勢壘區能帶發生傾斜;反向偏壓越大,勢壘越高,勢壘區的內建電場也越強,勢壘區能帶也越加傾斜,甚至可以使n區的導帶底比p區的價帶頂還低。內建電場E使p區的價帶電子得到附加勢能q|E|x;當內建電場|E|大到某值以後,價帶中的部分電子所得到的附加勢能q|E|x可以大于禁帶寬度;如果p區價帶中的A點和n區導帶中的B點有相同的能量,則在A點的電子可以過渡到B點。實際上,這只是說明在由A點和B點的一段距離中,電場給予電子的能量等於禁帶寬度。因為A和B之間隔著水平距離為的禁帶,所以電子從A到B的過渡一般不會發生。隨著反向偏壓的增大,勢壘區的電場增強,能帶更加傾斜,將變得更短。當反向偏壓達到一定數值,短到一定程度時,量子力學證明,p區價帶中的電子將通過隧道效應穿過禁帶而到達n區導帶中。

上一篇[BJT擊穿電壓]    下一篇 [電子雪崩現象]

相關評論

同義詞:暫無同義詞