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  即「硅的選擇氧化」(Local oxidation of Silicon)

  - CMOS工藝最常用的隔離技術就是LOCOS(硅的選擇氧化)工藝,它以氮化硅為掩膜實現了硅的選擇氧化,在這種工藝中,除了形成有源晶體管的區域以外,在其它所有重摻雜硅區上均生長一層厚的氧化層,稱為隔離或場氧化層。

  -常規的LOCOS工藝由於有源區方向的場氧侵蝕(SiN邊緣形成類似鳥嘴的結構,稱為「鳥 嘴」bird break)和場注入的橫向擴散,使LOCOS工藝受到很大的限制。
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