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  一個有關於電壓的標準
  相對於內存而言
  DDR內存 採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準
  而對於比較老一些的SDRAM內存來說 它支持的則是3.3 V的LVTTL標準.
  現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。
  TTL:Transistor-Transistor Logic 三極體結構。
  Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
  因為2.4V與5V之間還有很大空閑,對改善雜訊容限並沒什麼好處,又會白白增大系統功耗,還會影響速度。所以後來就把一部分「砍」掉了。也就是後面的LVTTL。
  LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(Low Voltage TTL)。
  3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
  2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
  更低的LVTTL不常用就先不講了。多用在處理器等高速晶元,使用時查看晶元手冊就OK了。
  TTL使用注意:TTL電平一般過沖都會比較嚴重,可能在始端串22歐或33歐電阻; TTL電平輸入腳懸空時是內部認為是高電平。要下拉的話應用1k以下電阻下拉。TTL輸出不能驅動CMOS輸入。
  CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
  Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
  相對TTL有了更大的雜訊容限,輸入阻抗遠大於TTL輸入阻抗。對應3.3V LVTTL,出現了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅動。
  3.3V LVCMOS:
  Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
  2.5V LVCMOS:
  Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
  CMOS使用注意:CMOS結構內部寄生有可控硅結構,當輸入或輸入管腳高於VCC一定值(比如一些晶元是0.7V)時,電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應,導致晶元的燒毀。
  ECL:Emitter Coupled Logic 發射極耦合邏輯電路(差分結構)
  Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。
  速度快,驅動能力強,雜訊小,很容易達到幾百M的應用。但是功耗大,需要負電源。為簡化電源,出現了PECL(ECL結構,改用正電壓供電)和LVPECL。
  PECL:Pseudo/Positive ECL
  Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V
  LVPELC:Low Voltage PECL
  Vcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V
  ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同電平不能直接驅動。中間可用交流耦合、電阻網路或專用晶元進行轉換。以上三種均為射隨輸出結構,必須有電阻拉到一個直流偏置電壓。(如多用於時鐘的LVPECL:直流匹配時用130歐上拉,同時用82歐下拉;交流匹配時用82歐上拉,同時用130歐下拉。但兩種方式工作后直流電平都在1.95V左右。)
  前面的電平標準擺幅都比較大,為降低電磁輻射,同時提高開關速度又推出LVDS電平標準。
  LVDS:Low Voltage Differential Signaling
  差分對輸入輸出,內部有一個恆流源3.5-4mA,在差分線上改變方向來表示0和1。通過外部的100歐匹配電阻(並在差分線上靠近接收端)轉換為±350mV的差分電平。
  LVDS使用注意:可以達到600M以上,PCB要求較高,差分線要求嚴格等長,差最好不超過10mil(0.25mm)。100歐電阻離接收端距離不能超過500mil,最好控制在300mil以內。
  下面的電平用的可能不是很多,篇幅關係,只簡單做一下介紹。如果感興趣的話可以聯繫我。
  CML:是內部做好匹配的一種電路,不需再進行匹配。三極體結構,也是差分線,速度能達到3G以上。只能點對點傳輸。
  GTL:類似CMOS的一種結構,輸入為比較器結構,比較器一端接參考電平,另一端接輸入信號。1.2V電源供電。
  Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOL<=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75V
  PGTL/GTL+:
  Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V
  HSTL是主要用於QDR存儲器的一種電平標準:一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO=1.5V。和上面的GTL相似,輸入為輸入為比較器結構,比較器一端接參考電平(VCCIO/2),另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
  SSTL主要用於DDR存儲器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V,輸入為輸入為比較器結構,比較器一端接參考電平1.25V,另一端接輸入信號。對參考電平要求比較高(1%精度)。
  HSTL和SSTL大多用在300M以下。
  RS232和RS485基本和大家比較熟了,只簡單提一下:
  RS232採用±12-15V供電,我們電腦後面的串口即為RS232標準。+12V表示0,-12V表示1。可以用max3232等專用晶元轉換,也可以用兩個三極體加一些外圍電路進行反相和電壓匹配。
  RS485是一種差分結構,相對RS232有更高的抗干擾能力。傳輸距離可以達到上千米。
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